IPW60R190C6
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPW60R190C6 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IPW60R190C6 Infineon Technologies |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $3.24 |
10+ | $2.908 |
100+ | $2.3827 |
500+ | $2.0283 |
1000+ | $1.7106 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO247-3 |
Serie | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 151W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20.2A (Tc) |
IPW60R190C6 Einzelheiten PDF [English] | IPW60R190C6 PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
INFINEON TO-247
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
IPW60R190P6 6R190P6 INFINEON
INFINEON TO-247
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M
600V, 0.19OHM, N-CHANNEL MOSFET,
INFINEON TO-247
INFINEON TO247
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
INFINEON TO-247
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPW60R190C6Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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